APT8M100B Prezos (USD) [15306unidades de stock]
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- 10 pcs$2.64552
- 100 pcs$2.16921
- 500 pcs$1.75654
- 1,000 pcs$1.48142
- Número de peza:
- APT8M100B
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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APT8M100B Atributos do produto
Número de peza :
APT8M100B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1885pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
290W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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