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- Número de peza:
- IRLHM630TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IRLHM630TR2PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLHM630TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Ta), 40A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
62nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3170pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PQFN (3x3)
Paquete / Estuche :
8-VQFN Exposed Pad
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