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- Número de peza:
- HUF75939P3
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HUF75939P3 electronic components. HUF75939P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75939P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUF75939P3 Atributos do produto
Número de peza :
HUF75939P3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB
Serie :
UltraFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
22A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
152nC @ 20V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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