ES6U1T2R Prezos (USD) [701059unidades de stock]
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- Número de peza:
- ES6U1T2R
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - IGBTs - Arrays ...
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ES6U1T2R Atributos do produto
Número de peza :
ES6U1T2R
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.4nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
290pF @ 6V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-WEMT
Paquete / Estuche :
SOT-563, SOT-666
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