Rohm Semiconductor - R8010ANX

KEY Part #: K6398004

R8010ANX Prezos (USD) [29315unidades de stock]

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Número de peza:
R8010ANX
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R8010ANX Atributos do produto

Número de peza : R8010ANX
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1750pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 40W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220FM
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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