Número de peza :
R8010ANX
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
62nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1750pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220FM
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack