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- Número de peza:
- IPB09N03LA G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPB09N03LA G Atributos do produto
Número de peza :
IPB09N03LA G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 20µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1642pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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