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- Número de peza:
- BSC200P03LSGAUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC200P03LSGAUMA1 electronic components. BSC200P03LSGAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC200P03LSGAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC200P03LSGAUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC200P03LSGAUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
48.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2430pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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