TK9A90E,S4X Prezos (USD) [42125unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK9A90E,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 900V TO220SIS.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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TK9A90E,S4X Atributos do produto
Número de peza :
TK9A90E,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Serie :
π-MOSVIII
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220SIS
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3