IPC020N10L3X1SA1 Prezos (USD) [348103unidades de stock]
- 1 pcs$0.30454
- Número de peza:
- IPC020N10L3X1SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1 electronic components. IPC020N10L3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC020N10L3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC020N10L3X1SA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPC020N10L3X1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1A (Tj)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 12µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Sawn on foil
Paquete / Estuche :
Die
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