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- Número de peza:
- RJK2009DPM-00#T0
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Unión programable and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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RJK2009DPM-00#T0 Atributos do produto
Número de peza :
RJK2009DPM-00#T0
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
40A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2900pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3PFM
Paquete / Estuche :
TO-3PFM, SC-93-3
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