Infineon Technologies - IPP052NE7N3GXKSA1

KEY Part #: K6417074

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Número de peza:
IPP052NE7N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP052NE7N3GXKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IPP052NE7N3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 91µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4750pF @ 37.5V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-3-1
Paquete / Estuche : TO-220-3

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