FDD4685 Prezos (USD) [179726unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.19685
- Número de peza:
- FDD4685
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD4685 electronic components. FDD4685 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD4685, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD4685 Atributos do produto
Número de peza :
FDD4685
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.4A (Ta), 32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
27nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2380pF @ 20V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
69W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252AA)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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