FQN1N60CTA Prezos (USD) [413499unidades de stock]
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- 2,000 pcs$0.06184
- Número de peza:
- FQN1N60CTA
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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FQN1N60CTA Atributos do produto
Número de peza :
FQN1N60CTA
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
300mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
170pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-92-3
Paquete / Estuche :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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