Nexperia USA Inc. - PMXB120EPEZ

KEY Part #: K6421533

PMXB120EPEZ Prezos (USD) [735924unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05026
  • 5,000 pcs$0.04383

Número de peza:
PMXB120EPEZ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMXB120EPEZ electronic components. PMXB120EPEZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMXB120EPEZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB120EPEZ Atributos do produto

Número de peza : PMXB120EPEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrición : MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 309pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DFN1010D-3
Paquete / Estuche : 3-XDFN Exposed Pad