Vishay Siliconix - SI3493DDV-T1-GE3

KEY Part #: K6421542

SI3493DDV-T1-GE3 Prezos (USD) [769090unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04809
  • 3,000 pcs$0.04558

Número de peza:
SI3493DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI3493DDV-T1-GE3 electronic components. SI3493DDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3493DDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3493DDV-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI3493DDV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1825pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.6W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 6-TSOP
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6