SQ1464EEH-T1_GE3 Prezos (USD) [586266unidades de stock]
- 1 pcs$0.06309
- Número de peza:
- SQ1464EEH-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 60V SC-70.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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SQ1464EEH-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQ1464EEH-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 60V SC-70
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
440mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.1nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
140pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
430mW (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-70-6
Paquete / Estuche :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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