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- Número de peza:
- PMV185XN,215
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - IGBTs - Single ...
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PMV185XN,215 Atributos do produto
Número de peza :
PMV185XN,215
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1.3nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
76pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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