Microsemi Corporation - APT29F80J

KEY Part #: K6396488

APT29F80J Prezos (USD) [2878unidades de stock]

  • 1 pcs$15.04590
  • 15 pcs$15.04582

Número de peza:
APT29F80J
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT29F80J electronic components. APT29F80J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT29F80J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT29F80J Atributos do produto

Número de peza : APT29F80J
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Serie : POWER MOS 8™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 31A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 303nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 9326pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 543W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores : ISOTOP®
Paquete / Estuche : SOT-227-4, miniBLOC

Tamén pode estar interesado