Vishay Siliconix - SI2316DS-T1-GE3

KEY Part #: K6396463

SI2316DS-T1-GE3 Prezos (USD) [306526unidades de stock]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.11355

Número de peza:
SI2316DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI2316DS-T1-GE3 electronic components. SI2316DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2316DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2316DS-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI2316DS-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 215pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3