Número de peza :
SI2316DS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA (Min)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
215pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3