SIB452DK-T1-GE3 Prezos (USD) [275873unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIB452DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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SIB452DK-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIB452DK-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
190V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
135pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-75-6L
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