NXP USA Inc. - PMFPB6532UP,115

KEY Part #: K6415263

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    Número de peza:
    PMFPB6532UP,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMFPB6532UP,115 Atributos do produto

    Número de peza : PMFPB6532UP,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.5A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : ±8V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 380pF @ 10V
    Función FET : Schottky Diode (Isolated)
    Disipación de potencia (máx.) : 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : DFN2020-6
    Paquete / Estuche : 6-UDFN Exposed Pad