IRFB4410PBF Prezos (USD) [33519unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFB4410PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFB4410PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFB4410PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
88A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5150pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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