TPCC8103(TE12L,QM) Prezos (USD) [76032unidades de stock]
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- Número de peza:
- TPCC8103(TE12L,QM)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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TPCC8103(TE12L,QM) Atributos do produto
Número de peza :
TPCC8103(TE12L,QM)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
Serie :
U-MOSV
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1600pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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