SSM6J502NU,LF Prezos (USD) [430974unidades de stock]
- 1 pcs$0.08582
- Número de peza:
- SSM6J502NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SSM6J502NU,LF Atributos do produto
Número de peza :
SSM6J502NU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Serie :
U-MOSVI
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23.1 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
24.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1800pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-UDFNB (2x2)
Paquete / Estuche :
6-WDFN Exposed Pad
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