FDG312P Prezos (USD) [596208unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDG312P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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FDG312P Atributos do produto
Número de peza :
FDG312P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
330pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Estuche :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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