IXYS - IXTR170P10P

KEY Part #: K6397831

IXTR170P10P Prezos (USD) [5496unidades de stock]

  • 1 pcs$9.06215
  • 10 pcs$8.23701
  • 100 pcs$6.65995

Número de peza:
IXTR170P10P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTR170P10P Atributos do produto

Número de peza : IXTR170P10P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Serie : PolarP™
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 108A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 12600pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 312W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : ISOPLUS247™
Paquete / Estuche : ISOPLUS247™

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