Toshiba Semiconductor and Storage - TK380A60Y,S4X

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Número de peza:
TK380A60Y,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK380A60Y,S4X Atributos do produto

Número de peza : TK380A60Y,S4X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Serie : DTMOSV
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 360µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 590pF @ 300V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 30W
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220SIS
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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