FQD2N100TM Prezos (USD) [155193unidades de stock]
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- Número de peza:
- FQD2N100TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD2N100TM electronic components. FQD2N100TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD2N100TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD2N100TM Atributos do produto
Número de peza :
FQD2N100TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
520pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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