Número de peza :
FQD11P06TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
550pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63