Infineon Technologies - IRF1010EZPBF

KEY Part #: K6404402

IRF1010EZPBF Prezos (USD) [57375unidades de stock]

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Número de peza:
IRF1010EZPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1010EZPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF1010EZPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 75A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2810pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 140W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB
Paquete / Estuche : TO-220-3

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