Infineon Technologies - IPD60R280P7ATMA1

KEY Part #: K6419152

IPD60R280P7ATMA1 Prezos (USD) [94185unidades de stock]

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  • 2,500 pcs$0.34851

Número de peza:
IPD60R280P7ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R280P7ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPD60R280P7ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Serie : CoolMOS™ P7
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 190µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 761pF @ 400V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 53W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO252-3
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63