SPW32N50C3FKSA1 Prezos (USD) [10045unidades de stock]
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- 10 pcs$3.08358
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- 500 pcs$2.12419
- 1,000 pcs$1.85010
- Número de peza:
- SPW32N50C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 560V 32A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SPW32N50C3FKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
SPW32N50C3FKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
560V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1.8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
284W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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