Vishay Siliconix - SIR606DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419750

SIR606DP-T1-GE3 Prezos (USD) [129161unidades de stock]

  • 1 pcs$0.28637
  • 3,000 pcs$0.26890

Número de peza:
SIR606DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIR606DP-T1-GE3 electronic components. SIR606DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR606DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR606DP-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIR606DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 37A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 22nC @ 6V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1360pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 44.5W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8

Tamén pode estar interesado