Número de peza :
SQM200N04-1M7L_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
200A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
291nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
11168pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263-7
Paquete / Estuche :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)