FQD4N25TM-WS Prezos (USD) [458617unidades de stock]
- 1 pcs$0.08065
- Número de peza:
- FQD4N25TM-WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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FQD4N25TM-WS Atributos do produto
Número de peza :
FQD4N25TM-WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.75 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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