DMPH1006UPSQ-13 Prezos (USD) [170140unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMPH1006UPSQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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DMPH1006UPSQ-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMPH1006UPSQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
124nC @ 8V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6334pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI5060-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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