FQB5N60CTM-WS Prezos (USD) [112464unidades de stock]
- 1 pcs$0.32888
- Número de peza:
- FQB5N60CTM-WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 4.5A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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FQB5N60CTM-WS Atributos do produto
Número de peza :
FQB5N60CTM-WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 4.5A
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
670pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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