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- Número de peza:
- IRFH8337TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFH8337TR2PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFH8337TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Ta), 35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
790pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.2W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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