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- Número de peza:
- BSP296E6327
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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BSP296E6327 Atributos do produto
Número de peza :
BSP296E6327
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 400µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
364pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.79W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223-4
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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