IXFN24N100F Prezos (USD) [2516unidades de stock]
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- 10 pcs$20.37454
- 25 pcs$18.84371
- 100 pcs$17.66600
- 250 pcs$16.48825
- Número de peza:
- IXFN24N100F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFN24N100F Atributos do produto
Número de peza :
IXFN24N100F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Serie :
HiPerRF™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6600pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
600W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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