IXFX48N50Q Prezos (USD) [5209unidades de stock]
- 1 pcs$9.15017
- 10 pcs$8.31716
- 100 pcs$6.72473
- Número de peza:
- IXFX48N50Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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IXFX48N50Q Atributos do produto
Número de peza :
IXFX48N50Q
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
48A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PLUS247™-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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