DMN62D1LFDQ-7 Prezos (USD) [809428unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN62D1LFDQ-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- 2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN62D1LFDQ-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN62D1LFDQ-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 3
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
400mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.55nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
36pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
U-DFN1212-3
Paquete / Estuche :
3-UDFN
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