FDD3670 Prezos (USD) [78456unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDD3670
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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FDD3670 Atributos do produto
Número de peza :
FDD3670
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
34A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2490pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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