C3M0120090D Prezos (USD) [13854unidades de stock]
- 1 pcs$2.97472
- Número de peza:
- C3M0120090D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- 900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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C3M0120090D Atributos do produto
Número de peza :
C3M0120090D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET
Serie :
C3M™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
23A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17.3nC @ 15V
Vgs (máximo) :
+18V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
350pF @ 600V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
97W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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