Vishay Siliconix - SQJ443EP-T1_GE3

KEY Part #: K6420025

SQJ443EP-T1_GE3 Prezos (USD) [152759unidades de stock]

  • 1 pcs$0.24213
  • 3,000 pcs$0.20465

Número de peza:
SQJ443EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3 electronic components. SQJ443EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ443EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ443EP-T1_GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQJ443EP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 40A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2030pF @ 20V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8

Tamén pode estar interesado