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- Número de peza:
- IPP04N03LB G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP04N03LB G electronic components. IPP04N03LB G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP04N03LB G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP04N03LB G Atributos do produto
Número de peza :
IPP04N03LB G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 70µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5203pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
107W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-3-1
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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