IPI80P04P4L04AKSA1 Prezos (USD) [2908unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPI80P04P4L04AKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH TO262-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IPI80P04P4L04AKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPI80P04P4L04AKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH TO262-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
176nC @ 10V
Vgs (máximo) :
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3-1
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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