DMN2015UFDE-7 Prezos (USD) [434437unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN2015UFDE-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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DMN2015UFDE-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN2015UFDE-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
45.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1779pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
660mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paquete / Estuche :
6-PowerUDFN
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