Vishay Siliconix - SI1400DL-T1-GE3

KEY Part #: K6406421

SI1400DL-T1-GE3 Prezos (USD) [1324unidades de stock]

  • 3,000 pcs$0.09104

Número de peza:
SI1400DL-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI1400DL-T1-GE3 electronic components. SI1400DL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1400DL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1400DL-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI1400DL-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 568mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363