FDFMA2P853 Prezos (USD) [318663unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDFMA2P853
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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FDFMA2P853 Atributos do produto
Número de peza :
FDFMA2P853
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
435pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.4W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Estuche :
6-VDFN Exposed Pad
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